操纵光芒透过光罩映照在感光质料上，再以溶剂浸泡将感光质料受光映照到的部分加以消融或保存，云云所构成的光阻图案会和光罩完整不异或呈互补。因为微影制程的情况是接纳黄光照明而非普通拍照暗房的红光半岛体育在线，以是这一部分的制程常被简称为“黄光”。微影制程很好地完成了黄光工艺触摸屏视觉上的精准度。

　　此种电容屏有助于手机在超窄边框上面布线，使手机工艺如钟表般精密，更薄，身体更标致，更有益于超窄边款手机的散热，更是贴合手艺的绝配。

　　答：Photoresist（光阻）.是一种感光的物资，其感化是将Pattern从光罩（Reticle）上通报到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。

　　答：正光阻，是光阻的一种，这类光阻的特征是将其暴光以后，感光部门的性子会改动，并在以后的显影过程当中被暴光的部门被去除。

　　答：负光阻也是光阻的一品种型，将其暴光以后，感光部门的性子被改动，可是这类光阻的特征与正光阻的特征恰好相反，其感光部门在未来的显影过程当中会被留下，而没有被感光的部门则被显影历程去除。

　　答：暴光就是经由过程光映照光阻，使其感光；显影就是将暴光完成后的图形处置，以将图形明晰的闪现出来的历程。

　　答：在Wafer上涂布光阻之前，需求先对Wafer外表停止一系列的处置事情，以使光阻能在前面的涂布过程当中可以被更牢靠的涂布。前处置次要包罗Bake，HDMS等历程。此中经由过程Bake将Wafer外表吸取的水份去除，然后停止HDMS事情，以使Wafer外表更简单与光阻分离。

　　答：上光阻是为了在Wafer外表获得厚度平均的光阻薄膜。光阻经由过程喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速扭转的Wafer外表，并在向心力的感化下被平均的涂布在Wafer的外表。

　　答：上完光阻以后，要停止Soft Bake，其次要目标是经由过程Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并掌握光阻的敏感度和未来的线宽，同时也将光阻中的残存内应力开释。

　　答：暴光是将涂布在Wafer外表的光阻感光的历程，同时将光罩上的图形通报到Wafer上的历程。

　　答：PEB是在暴光完毕后对光阻停止掌握精细的Bake的历程。其目标在于使被暴光的光阻停止充实的化学反响，以使被暴光的图形平均化。

　　答：显影相似于洗照片，是将暴光完成的Wafer停止成象的历程，经由过程这个历程，成象在光阻上的图形被闪现出来。

　　答：Hard Bake是经由过程烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，而且固化显影完成以后的光阻的图形的历程。

　　答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻上面的一层削减光的反射的物资，TARC则是被涂布在光阻上外表的一层削减光的反射的物资。他们的感化别离是削减暴光过程当中光在光阻的高低外表的反射，以使暴光的大部门能量都被光阻吸取。

　　答：暴光历程顶用到的光，由Mercury Lamp（汞灯）发生，其波长为365nm，其波长较长，因而暴光完成后图形的分辩率较差，可以使用在次主要的条理。

　　答：暴光历程顶用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因而暴光完成后的图形分辩率较好，用于较为主要的制程中。

　　答：光源差别，波长差别，因而使用的场所也差别。I-Line次要用在较落伍的制程（0.35微米以上）大概较先辈制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先辈制程的Critical layer上。

　　答：Energy（暴光量）, Focus（焦距）。假如能量和焦距调解的欠好，就不克不及获得请求的分辩率和请求巨细的图形，次要表如今图形的CD值超越请求的范畴。因而请求在消费时要时辰保持最好的能量和焦距，这两个参数关于差别的产物会有差别。

　　答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板大概光罩，暴光过程当中的原始图形的载体，经由过程暴光历程，这些图形的信息将被通报到芯片上。

　　答：Pellicle是Reticle上为了避免尘埃（dust）大概微尘粒子（Particle）落在光罩的图形面上的一层庇护膜。

　　答：传统的铬膜光罩,只是操纵光讯0与1干预成像,次要使用在较不Critical 的layer

　　答：（1） 光罩盒翻开的状况下，禁绝收支Mask Room,最多只准连结2小我私家（2） 戴上手套（3） 轻拿轻放

　　答：Photo制程中一系列步调的组合，其包罗：Wafer的前、后处置，Coating（上光阻），和Develop（显影）等历程。

　　答：机台上红灯亮起的时分表白机台处于非常形态，此时曾经不克不及RUN货，因而该当实时Call E.E停止处置。若EE如今没法立刻处理，则将机台挂DOWN。

　　答：Wafer Edge Exposure。因为Wafer边沿的光阻凡是会涂布的不服均，因而普通不克不及获得较好的图形，并且偶然还会因而形成光阻peeling而影响部门的图形，因而 将Wafer Edge的光阻暴光，进而在显影的时分将其去除，如许便能够消弭影响。

　　答：检察RUN之前lot里有几Wafer,再看Run以后lot里的WAFER能否有少掉，假如有少，则进一步检察机台能否有Reject记载。

　　答：迭对丈量仪。因为集成电路是由许多层电路重迭构成的，因而必需包管每层与前面大概前面的层的瞄准精度，假如瞄准精度超越请求范畴内，则能够形成全部电路不克不及完成设想的事情。因而在每层的建造的过程当中，要对其与前层的瞄准精度停止丈量，假如丈量值超越请求，则必需采纳响应步伐调解process condition.

　　答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。暴光事后，它的图形也被复制在Wafer上，凡是假如这些最小的线宽可以胜利的成象，同时暴光的的图形也可以胜利的成象。因而凡是丈量CD的值来肯定process的前提能否适宜。

　　答：需求。由于凡是是process呈现了非常，并且影响到了一些货，因而为了削减丧失，必需把还没有ETCH的货追返来，不然ETCH以后就没法挽回丧失。

　　答：电浆是物资的第四形态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;此中包罗电子,正离子,负离子,中性份子,活性基及发散光子等,发生电浆的办法可利用高温或高电压.

　　答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就同等于底片,而暴光机就是一台第一流的拍照机. 光罩上的电路图形就是人物. 经由过程瞄准,对焦,翻开快门, 让必然量的光照过光罩, 其图象呈如今芯片的光刻胶上, 暴光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 暴光的光刻胶被洗掉, 图形就闪现出来了.

　　答：蚀刻过程当中,所施予之功率其实不会完整地被反响腔内领受端所承受,会有部分值反射掉,此反射之量,称为反射功率

　　答：它是指某个产物,它的最小CD 的巨细为0.18um or 0.13um. 越小集成度能够越高, 每一个芯片上可做的芯片数目越多, 难度也越大.它是代表工艺程度的主要参数.

　　答：NA是暴光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜伸开的角度的正玹值. 最大是1; 先辈的暴光机的NA 在0.5 ---0.85之间.

　　答：分辩率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于暴光的光波长;NA是暴光机的透镜的数值孔径; k1是标记工艺水准的参数。

　　答：由于白光中包罗365nm成分会使光阻暴光,以是接纳黄光; 就象洗像的暗房接纳暗红光照明.

　　答：湿式蚀刻：操纵液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除。干式蚀刻：操纵plasma将不要的薄膜去除。

　　答：芯片（Wafer）被送进Overlay 机台中. 先肯定Wafer的地位从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的构造.风雅块是前层, 小方块是当层;经由过程小方块能否在风雅块中间来肯定Overlay的黑白.

　　答：光罩上图构成象在WAFER上, 最大只要26X33mm一块（这一块就叫一个Field）,激光事情台把WAFER 挪动一个Field的地位，再曝一次光，再挪动再暴光。 直到笼盖整片WAFER。 以是，一片WAFER 上有约100阁下Field.

　　答：芯片（Wafer）被送进CD SEM 中. 电子束扫过光阻图形（Pattern）.有光阻的处所和无光阻的处所发生的二次电子数目差别; 处置此旌旗灯号可的图象.对图象停止丈量得CD.

　　答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与拍照中所说的景深类似. 光罩上图形会在透镜的另外一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面（Image Plan）, 只要将像平面与光阻平面重合（In Focus）才气印出明晰图形. 当分开一段间隔后, 图象恍惚. 这一可明晰成像的间隔叫DOF

　　答：暴光显影后发生的光阻图形有两个感化：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的处所与刻蚀气体反响，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另外一感化是充任例子注入的模板．

　　答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精细机械；为掌握iverlay40nm,在暴光过程当中，光罩和Wafer的活动要连结很高的同步性．在250nm/秒的扫描暴光时，二者同步地位10nm．相称于两架时速1000千米／小时的波音747飞机前后飞翔，相距小于10微米

　　答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制作光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部门铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的处所笼盖一极薄的通明膜（叫pellicle），庇护铬膜不受外界净化.

　　答：一般纸张是由大批短纤维压抑而成，摩擦或撕割城市发生大批细小灰尘（particle）．进cleanroom 要带公用的Cleanroom Paper.

　　答：光阻厚度平均度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的扭转加快率有关，越快越平均，与扭转加减速的工夫点有关．

　　答：分为普通排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent） 四个别系。

　　答：FFU体系包管干净室内必然的风速和干净度，由Fan和Filter（ULPA）构成。干净室体系供给给制程及机台装备所需之干净度、温度、湿度、正压、气流前提等情况请求。

　　94、工程师在一般跑货用纯水做rinse或做机台保护时，要留意不克不及有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水收受接管体系中，这是由于：

　　95、若在Fab 内发明空中有水滴或残留水等，应怎样处置或传递？若机台内的drain管有接错或排放身分分类有误，将会招致后真个主体系呈现什幺成绩?

　　答：先查抄能否为机台漏水或做PM而至，若为厂务体系则告诉厂务中控室。机台内的drain管有接错或排放身分分类有误将会招致后端处置的主体系相干目标处置不及格，从而能够招致公司排放口超标排放的变乱。

　　Seasoning（陈化处置）：是在蚀刻室的清净或改换零件后，为要不变制程前提，利用仿真（dummy） 晶圆停止数次的蚀刻轮回。

　　BACKSIDE HELIUM COOLING：藉由氦气之优良之热传导特征,能将芯片上之温度平均化

　　面板Array制程简序及84家相干环节装备企业大全华星光电：曾经布置第二条G11,暂不急建小尺寸T5厂